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电气失效分析

型号:Electrical Failure Analysis

一套覆盖从入门级到尖端水平的、专门用于失效分析的专用设备(体系)。
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一套覆盖从入门级到尖端水平的、专门用于失效分析的专用设备(体系)。


一、设备亮点


电子显微镜中的电气失效分析(EFA)是各行各业中一项关键的检测技术,广泛应用于半导体制造、汽车、电子制造、医疗设备及可再生能源等领域。分析人员借助该技术可检测微观缺陷、观察元器件的内部结构,进而优化设计与制造流程,最终提升电子设备的可靠性和性能。

这套EFA系统能在导航过程中通过实时色彩混合功能实现快速便捷的定位。它可应对最广泛的EFA案例,配备用于低阻抗失效检测的原位电子器件,还能通过专用图像采集功能提供用于报告和分析的优质图像。该EFA系统包含易于操作、全自动的电流测量校准功能。

此系统由硬件、软件和可选配置组成。


EFA技术

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➥ 电子束感应电流(EBIC)

➥ 电子束吸收电流(EBAC)

➥ 电阻衬度成像(EBAC/RCI)

➥ 电子束感应电阻变化(EBIRCh)


互连结构表征

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➥ 以亚微米级横向分辨率揭示电路网络的电气完整性,搭建从电气失效分析(EFA)到物理失效分析(PFA)的桥梁

➥ 诊断制造过程及长期使用中出现的问题,包括污染、金属图形缺陷、互连结构电阻异常或电迁移等

➥ 直接将缺陷定位到精确的层位和芯片位置

➥ 缩短产品改进措施的实施周期


结区与缺陷分布

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➥ 将结构缺陷与电活性关联

➥ 绘制结区的有源区域和电场分布

➥ 验证掺杂分布与掺杂区域


精确定位

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➥ 定位由开裂、腐蚀、电迁移或外来颗粒导致的金属线断裂

➥ 识别由过孔互连处的界面污染引起的电阻性开路

➥ 精确定位,为透射电子显微镜(TEM)薄片的聚焦离子束(FIB)制备提供直接位置


介电层缺陷定位

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➥ 在击穿前可视化并定位栅极氧化层(GOX)和电容氧化层(COX)中的薄弱点

➥ 以亚微米分辨率精确定位由静电放电(ESD)或电过应力(EOS)导致的氧化层短路

➥ 定位过程中以低至纳瓦级的功耗,保留缺陷的原始特征信号


内置偏压与实时色彩

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➥ 对去层器件中的结区和电场进行成像

➥ 在偏压条件下绘制太阳能电池的电活性分布图

➥ 将成像观察到的器件行为与器件建模结果进行对比


二、设备硬件


EFA 控制器

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➥ 最多支持 8 个探头的自动配置

➥ 用于低阻抗故障情况的原位电子设备

➥ 两级放大,实现最大量程和最高速度

➥ 内置电压偏置和电流补偿源

➥ 新的可选集成式针头清洁电源


EA DISS6 成像

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➥ 集成扫描发生器和图像采集功能

➥ 超高分辨率和高速性能

➥ 高位深度 EFA 模数转换

➥ 同时支持二次电子(SE)和 EFA 输入


三、设备软件


DISS6 图像采集

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➥ 布线与放大控制

➥ 用于定位的实时色彩混合

➥ 电流-电压扫描工具

➥ 探针清洁工具

➥ 自动量化至fA……μA

➥ 标准文件格式


DIPS6 图像处理

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➥ 用于定位的页面色彩混合

➥ 完整图像和元数据查看器

➥ 自动量化至μA……fA

➥ 基于梯度的伪彩色

➥ 定量像素值的导出


四、可选配置


EA / EFA参考样品

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➥ 用于参考和培训的二极管与电阻器

➥ 表面安装在陶瓷板上,便于操作

➥ 集成法拉第杯,用于束流测量


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